在光电子和微电子领域具有重要的应用价值

2018-12-04 03:55

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专家介绍,以氮化镓(gan)和碳化硅(sic)为代表的第三代半导体材料,具备高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及抗强辐射能力等优异性能,更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子器件,在光电子和微电子领域具有重要的应用价值。

据悉,项目为满足对应高性能封装和低成本消费级封装的需求,研制出高带宽氮化镓发光器件及基于发光器件的可见光通信技术,并实现智能家居演示系统的试制;开展第三代半导体封装和系统可靠性研究,形成相关标准或技术规范;制备出高性能碳化硅基氮化镓器件。

新华社北京9月6日电(记者胡喆)记者从科技部公布的信息了解到,近日科技部高新司在北京组织召开“十二五”期间863计划重点支持的“第三代半导体器件制备及评价技术”项目验收会。项目重点围绕第三代半导体技术中的关键材料、关键器件以及关键工艺进行研究,开发出基于新型基板的第三代半导体器件封装技术,并实现智能家居演示系统的试制。

科技部:第三代半导体器件制备及评价技术取得突破国开行签署两项促进对非投资合作协议多地对“租房贷”开展调查!长租公寓付款过程有哪些“坑”?湖北一起涉黑涉恶案件21名干部涉嫌充当保护伞被立案审查江西建立招商引资领域信用承诺制度和网上公示制度我国6年来资助学生5.2亿人次资助经费总投入8864亿元北京新机场南航基地1号机库封顶“天下第一泉”济南趵突泉持续喷涌15年北京严查物业服务企业转供电加价行为电影党课“上课铃”在上海响起

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通过项目的实施,我国在第三代半导体关键的碳化硅和氮化镓材料、功率器件、高性能封装以及可见光通信等领域取得突破,自主发展出相关材料与器件的关键技术,有助于支撑我国在节能减排、现代信息工程、现代国防建设上的重大需求。

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